[发明专利]一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构在审
| 申请号： | 202111577790.6 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114373799A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王颖;张孝冬;于成浩;曹菲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种柱状缓冲层的RC‑IGBT器件结构。该RC‑IGBT器件与传统器件相比，在器件的P型集电区上方有分离排列的N型柱状结构。由于上述分离排列的N型柱状结构对电场具有夹断作用，所以可以对电场起到缓冲作用。同时，分离排列的N型柱状结构可以引导正向导通初期的电子沿着分离排列的N型柱状结构横向流动，因此增加了电子导通路径的电阻，抑制了RC‑IGBT器件输出特性的第一象限的Snapback效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柱状 缓冲 rc igbt 器件 结构 | ||
【主权项】：
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