[发明专利]一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构

权利要求书

1.一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构，其特征在于，具有多个MOS元胞结构并联的传统的RC-IGBT器件通过离子注入在N型衬底背面形成N型柱状结构，N型柱状结构的掺杂浓度高于N-漂移区的浓度，N型杂质通过离子注入形成N型柱状结构；N型集电区上方没有N型柱状结构，P型集电区上方有N型柱状结构；N型柱状结构之间存在低掺杂的N型区域。

2.根据权利要求1所述的一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的N型柱状结构的数量为3～30个。

3.根据权利要求1所述的一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的离子注入的N型柱状结构的掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3以上。

4.根据权利要求1所述的一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的元器件半集电极长度为200～400μm。

5.根据权利要求1所述的一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的离子注入的N型柱状结构的厚度为6～18μm。

6.根据权利要求1所述的一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的并联的MOS元胞结构的间距为10～40μm。

7.根据权利要求1所述的一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的N型集电区和P型集电区的长度比值为1:3～1:9。

8.根据权利要求1所述的一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的N型柱状结构的数量为10个。

9.根据权利要求1所述的一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的元器件半集电极长度为200μm。

10.根据权利要求1所述的一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的离子注入的N型柱状结构的厚度为10μm。