[发明专利]硬掩膜的去除方法在审
申请号: | 202111573696.3 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN116313776A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 陈旭 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/306 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种硬掩膜的去除方法,包括:1)于基底上形成表面钝化层和硬掩膜层,在硬掩膜层中形成图形窗口;2)基于图形窗口刻蚀基底以在基底中形成凹槽结构,并于凹槽结构中填充绝缘材料层,绝缘材料层同时形成于硬掩膜层表面,绝缘材料层与硬掩膜层具有不同材料;3)研磨去除硬掩膜层顶面之上的绝缘材料层;4)采用干法刻蚀工艺刻蚀硬掩膜层和位于图形窗口内的绝缘材料层,以去除部分硬掩膜层和绝缘材料层;5)通过第一湿法刻蚀工艺去除剩余的硬掩膜层;6)通过第二湿法刻蚀工艺去除剩余的绝缘材料层和表面钝化层。本发明可有效解决由于湿法刻蚀工艺时间较长而在绝缘材料层中产生孔洞的问题。 | ||
搜索关键词: | 硬掩膜 去除 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造