[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202111566892.8 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN113964024B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈忠奎;胡良斌;唐斌;薛英武 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：在晶圆第一表面的沟槽内壁形成场氧化层，在晶圆的第一表面和第二表面沉积掺杂多晶硅层，并在选定温度下同时对两表面的掺杂多晶硅层进行氧化和退火工艺，氧化特定厚度的掺杂多晶硅层形成多晶硅氧化层，然后去除第一表面上的多晶硅氧化层及部分掺杂多晶硅层，至沟槽内掺杂多晶硅层的厚度符合器件性能要求。本发明在晶圆两表面沉积一定厚度的掺杂多晶硅层，对特定厚度的掺杂多晶硅层进行氧化的同时对掺杂多晶硅层进行退火，通过控制退火温度和氧化厚度，调节深沟槽晶圆在沟槽延伸方向和沟槽排列方向的翘曲度差异及深沟槽晶圆的整体翘曲度，解决了300mm晶圆上实现大规模量产深沟槽产品的瓶颈问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
