[发明专利]无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111562829.7 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114284341A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 冉飞荣;盛况;任娜;王珩宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 高明翠 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法，该SIC肖特基二极管包括N+衬底，N+衬底上生长有N‑外延，N‑外延上有肖特基接触金属及其上方的正面金属电极，N+衬底背面的欧姆接触金属。肖特基势垒的终端设有环形终端沟槽，终端沟槽内设有二氧化硅侧壁，终端沟槽内用多晶填充，正面金属电极边缘设有二氧化硅场板。本发明使用沟槽方式终止肖特基源区，使得终端截止不再依赖反型注入，降低了成本及工艺复杂程度，同时改善了终端电场局部集聚效应。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 终端 sic 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学杭州国际科创中心，未经浙江大学杭州国际科创中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111562829.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
