[发明专利]无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111562829.7 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114284341A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 冉飞荣;盛况;任娜;王珩宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 高明翠 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 注入 终端 sic 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.无注入终端的SIC肖特基二极管，其特征在于：包括正面金属电极，肖特基势垒层，二氧化硅场板，终端沟槽，背面金属电极；终端沟槽的内壁设有栅氧层，终端沟槽的内部填充多晶硅，肖特基势垒层延伸至多晶硅表面，肖特基势垒层上方设有正面金属电极，正面金属电极外围设有二氧化硅场板。
2.如权利要求1所述的无注入终端的SIC肖特基二极管，其特征在于：所述正面金属电极包括钛、镍、铝、银、金导电金属的一种或几种复合层。
3.如权利要求1所述的无注入终端的SIC肖特基二极管，其特征在于：所述肖特基势垒层包括势垒金属，所述势垒金属是与SIC形成肖特基接触的金属或复合金属。
4.如权利要求1所述的无注入终端的SIC肖特基二极管，其特征在于：所述二氧化硅场板覆盖于所述终端沟槽的上方。
5.如权利要求1所述的无注入终端的SIC肖特基二极管，其特征在于：所述终端沟槽的侧壁的角度是直角或者锐角，以将终端电场分散至槽底端。
6.如权利要求1所述的无注入终端的SIC肖特基二极管，特征在于：所述背面金属电极包括钛、镍、铝、银、金导电金属的一种或几种复合层。
7.无注入终端的SIC肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：在N型SIC衬底上生长N型外延层；通过光刻形成终端沟槽；终端沟槽的内壁通过热氧氧化形成栅氧层；终端沟槽内用多晶硅填充，然后进行多晶回刻，只保留终端沟槽内的多晶硅；在有源区溅射势垒金属，形成肖特基接触，所述势垒金属覆盖于所述多晶硅上方；势垒金属上方及器件背面淀积金属形成背面金属电极。
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