[发明专利]一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202111562112.2 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114279551B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘彬;董喜来;钟志;单明广;于蕾;刘磊 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | G01H9/00 | 分类号： | G01H9/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 王芳 |
| 地址： | 150000 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法，属于光纤传感器技术领域。本发明解决了现有光纤声压传感器由于初始腔长相位差不准确，进而导致传感器解调效果不好的问题。本发明传感器包括两个光纤组件和夹层结构，夹层结构为SOI‑空气‑硅的夹层结构，具体的支撑结构层为框架结构与第二Si基层形成第一方形槽，SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 工艺 光纤 声压 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学，未经哈尔滨工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111562112.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
