[发明专利]一种新型高维持电压SCR结构

摘要

本发明公开了一种新型高维持电压SCR结构，包括P型衬底，所述P型衬底顶部设有一组P型阱区和一组第一N型阱区，所述P型阱区远离第一N型阱区一侧设有第二N型阱区；所述P型阱区一侧设有第一P+重掺杂区域，所述P型阱区另一侧设有第二P+重掺杂区域；本发明根据现有需求进行设计，在P型阱区添加了第三P+重掺杂区，并在与P型阱相邻处添加了第二N型阱区，扩展了第二P+重掺杂区域，在不增加工艺复杂度和失效电流基本不变的情况下，提高SCR器件的维持电压，避免闩锁效应的威胁。