[发明专利]一种用于芯片腔面镀膜的方法及半导体激光器在审

专利信息
申请号: 202111559100.4 申请日: 2021-12-20
公开(公告)号: CN114231910A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 游顺青;许海明 申请(专利权)人: 武汉光安伦光电技术有限公司
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/16;C23C14/12;C23C14/30;C23C14/58;H01S5/028
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 徐俊伟
地址: 436070 湖北省武汉市东湖高新技术开发*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种用于芯片腔面镀膜的方法及半导体激光器,属于通信芯片半导体技术领域,包括将待端面镀膜的晶圆进行解条夹条以获得Bar条,且依据预设的温度来对Bar条的腔体进行加热;对待镀Bar条的出光腔面进行等离子清洗处理;对进行等离子清洗处理后的待镀Bar条的出光腔面镀双层高透过介质膜系,以对出光腔面进行镀膜,所述双层高透过介质膜系包括SiO膜层和第一SiO2膜层;对出光腔面进行镀膜后,依据预设的第一时间,对出光腔面进行高能离子反溅射来对SiO2膜层改性,且通过电子束在SiO2膜层镀第一有机水凝膜层,所述第一有机水凝膜呈凸镜状;对待镀Bar条的背光腔面进行等离子清洗处理。本发明达到能够提升产品的可靠性,提高产品的光耦合效果的技术效果。
搜索关键词: 一种 用于 芯片 镀膜 方法 半导体激光器
【主权项】:
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