[发明专利]SRAM存储器及其写入子电路、读出子电路以及控制方法在审
| 申请号： | 202111556564.X | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114242134A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 唐永生;黄立;申石林;刘阿强 | 申请（专利权）人： | 成都利普芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394 | 代理人： | 孔鹏 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种SRAM存储器及其写入子电路、读出子电路以及控制方法，涉及半导体技术领域，能够最大程度的节约电子设备内部的空间和降低电子设备的功耗。其中的SRAM存储器包括：写入子电路、存储子电路和读出子电路；写入子电路被配置为将输入信号从第一输出信号端输出，将反相后的输入信号从第二输出信号端输出。存储子电路被配置为存储第一输出信号和第二输出信号。读出子电路被配置为将第三输出信号端和第四输出信号端的电位拉高至第一电源电压信号，以及从第三输出信号端和第四输出信号端输出不同电位的信号。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储器 及其 写入 电路 读出 以及 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都利普芯微电子有限公司，未经成都利普芯微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111556564.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
