[发明专利]一种形成IGBT电场终止层的方法在审
| 申请号： | 202111554721.3 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114429904A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李云燕 | 申请（专利权）人： | 权芯微电子科技无锡有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/324;H01L29/739 |
| 代理公司： | 无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙) 32369 | 代理人： | 章陆一 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市锡山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种形成IGBT电场终止层的方法，涉及IGBT工艺技术领域。该形成IGBT电场终止层的方法，包括以下步骤：S1、衬底准备；S2、栅氧化层的生长；S3、多晶淀积并光刻；S4、P型体区注入；S5、P型体区推进；S6、N+注入并推进；S7、介质层淀积；S8、接触孔光刻和金属溅射；S9、背面P型集电区注入；S10、背面集电区退火；S11、背面多次高能质子注入；S12、高能质子注入退火；S13、背面集电极金属溅射。本发明，采用多次高能质子注入，然后通过在350度‑450度的温度和N2条件下退火，在IGBT背面就会形成20um‑50um厚度的N型杂质分布，从而起到电场终止层的作用，由于较厚的电场终止层内电子较多，IGBT关断时电流将不会突然下降到零，从而不会引起IGBT的震荡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 igbt 电场 终止 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于权芯微电子科技无锡有限公司，未经权芯微电子科技无锡有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111554721.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底
- 下一篇：一种自动出冰装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
