[发明专利]硅片及其硅孔的填充方法在审
| 申请号： | 202111552686.1 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN116322279A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李登峰;张文龙 | 申请（专利权）人： | 腾讯科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H10N60/01 | 分类号： | H10N60/01;H10N60/80 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 李文静 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种硅片及其硅孔的填充方法，属于超导量子技术领域。该方法包括：在硅片中硅孔的开口所在侧设置超导材料，并采用加热加压处理的键合方式将超导材料填充至硅孔内。如此，可以通过灵活控制温度和压力，将超导材料熔化后快速且充分的挤压至硅孔内，完成超导材料的填充。采用该填充方法填充超导材料的速率较快，仅需较短的时长即可填充足够厚的超导材料。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 及其 填充 方法 | ||
【主权项】：
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