[发明专利]硅片及其硅孔的填充方法

权利要求书

1.一种硅孔(K0)的填充方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有硅孔(K0)的硅片(00)；

在所述硅片(00)的至少一侧设置超导材料(01)，所述至少一侧包括所述硅孔(K0)的开口所在侧；

对所述超导材料(01)进行加热处理和加压处理，以将所述超导材料(01)填充至所述硅孔(K0)内。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述超导材料(01)进行加热处理和加压处理，包括：

将设置有超导材料(01)的硅片(00)置于加热台(10)上，以对所述超导材料(01)进行加热处理；

在所述超导材料(01)远离所述硅片(00)的一侧设置硬质垫片(20)；

在所述超导材料(01)被加热至熔化后，向所述硬质垫片(20)施加压力，以对熔化后的超导材料(01)进行加压处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将设置有超导材料(01)的硅片(00)置于加热台(10)上，包括：

采用静电吸附的方式，将设置有超导材料(01)的硅片(00)固定于所述加热台(10)上。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硬质垫片(20)包覆所述超导材料(01)。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在向所述硬质垫片(20)施加压力，以对熔化后的超导材料(01)进行加压处理之后，所述方法还包括：

在所述超导材料(01)凝固后，去除所述硬质垫片(20)和残留于所述硅孔(K0)外侧的超导材料(01)。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述去除所述硬质垫片(20)和残留于所述硅孔(K0)外侧的超导材料(01)，包括：

采用研磨抛光工艺，去除所述硬质垫片(20)和残留于所述硅孔(K0)外侧的超导材料(01)。

7.根据权利要求2至6任一所述的方法，其特征在于，所述超导材料(01)位于所述硅片(00)的一侧；

所述加热台(10)位于所述超导材料(01)远离所述硅片(00)的一侧，或，所述加热台(10)位于所述硅片(00)远离所述超导材料(01)的一侧。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，若所述加热台(10)位于所述超导材料(01)远离所述硅片(00)的一侧，且所述硅孔(K0)为贯穿所述硅片(00)的硅通孔，则在所述硅片(00)的至少一侧设置超导材料(01)之后，所述方法还包括：

在所述硅片(00)未设置所述超导材料(01)的一侧，对所述硅通孔进行抽真空处理。

9.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述对所述超导材料(01)进行加热加压处理，包括：

在真空环境下，对所述超导材料(01)进行加热加压处理。

10.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述超导材料(01)呈颗粒状，且所述超导材料(01)的直径大于所述硅孔(K0)的孔径。

11.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述超导材料(01)包括：铟或锡。

12.一种硅片(00)，其特征在于，所述硅片(00)包括：

硅孔(K0)；

以及，采用如权利要求1至10任一所述的填充方法在所述硅孔(K0)内填充的超导材料(01)。