[发明专利]具有多p阱结构的帧转移CCD及其制作方法

摘要

本发明涉及一种具有多p阱结构的帧转移CCD及其制作方法，包括在硅衬底材料的水平CCD区域、哑元区域和输出放大器区域进行硼离子注入工艺和推结，形成深结高掺杂浓度的第一p阱；在硅衬底材料的光敏区区域和存储区区域进行硼离子注入和推结形成第二p阱；对存储区区域的第二p阱进行硼离子注入，形成第三p阱；在硅衬底材料上制作帧转移CCD。本发明中，通过在N型硅衬底材料上的不同区域分别制作p阱结构，能够使帧转移CCD各区域的p阱的掺杂浓度和结深均不相同，从而使帧转移CCD的各区域拥有不同的耗尽电压，能够根据应用需求单独优化光敏区、存储区、水平CCD以及输出放大器等区域的掺杂分布，从而便于提升器件性能。