[发明专利]忆阻器阵列结构及其操作方法、神经网络稀疏化装置在审

专利信息
申请号: 202111545665.7 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN114171087A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 周正;黄鹏;韩丽霞;康晋锋 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G06N3/063;G06N3/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张体南
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种忆阻器阵列结构及其操作方法、神经网络稀疏化装置。其中,该忆阻器阵列结构包括多个结构子阵列,多个结构子阵列中的每个结构子阵列包括多个忆阻器单元、多个第一晶体管单元和多个第二晶体管单元。多个忆阻器单元分布排列形成忆阻器阵列,多个第一晶体管单元在第一方向上与忆阻器阵列的两端的多个忆阻器单元分别对应相连;多个第二晶体管单元在第二方向上与忆阻器阵列的另两端的多个忆阻器单元分别对应相连;其中,在第一方向上,多个第一晶体管单元与忆阻器阵列的两端的相邻忆阻器阵列对应相连;在第二方向上,多个第二晶体管单元与忆阻器阵列的另两端的相邻忆阻器阵列对应相连。
搜索关键词: 忆阻器 阵列 结构 及其 操作方法 神经网络 稀疏 化装
【主权项】:
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