[发明专利]一种免中间层、直接电沉积制备DSA电极的方法在审

专利信息
申请号: 202111539951.2 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN114086228A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 张强;张文栓;胡广兴;郭阳 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: C25D5/38 分类号: C25D5/38;C25D5/28;C25D3/56
代理公司: 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 代理人: 周蕾
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种免中间层、直接电沉积制备DSA电极的方法,属于电极制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤:取金属基底进行前处理;取Ru3+与Ir2+溶液加入配位剂和导电盐,在一定的电流下在前处理后的金属基底表面进行电沉积,在金属基体表面形成与金属基体紧密结合的表面活性层,即可得到所述DSA电极。本发明采用电化学沉积法对活化后的钛金属基底进行贵金属电沉积,该方法制备工艺简单、节能、快速,镀层结晶程度可控,生产线设计成熟。相比于已有的产品与方法,本发明减少了贵金属的使用量,节约了生产时间,生产过程中不产生有毒废物,工艺流程成本低廉、制备简单。
搜索关键词: 一种 中间层 直接 沉积 制备 dsa 电极 方法
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