[发明专利]全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111538563.2 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114220870A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 徐妙玲;孙博韬;张晨;邱艳丽;修德琦;李天运 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 梁栋 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区北京经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请的实施例提供了一种全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一掺杂类型的半导体本体，其上表面具有多条沟槽；第二掺杂类型的多个注入区域，其被间隔地设置于所述沟槽的底部且延伸至所述半导体本体内；金属层，其与所述半导体本体的上表面、所述沟槽的侧壁和所述沟槽的底壁接触形成肖特基接触。 | ||
| 搜索关键词： | 全方位 肖特基 接触 沟槽 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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