[发明专利]一种低噪声高灵敏度近红外图像传感器在审
| 申请号： | 202111534014.8 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114156297A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 龚雨琛;陈多金;旷章曲;陈杰;刘志碧;王菁;高峰;董建新 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低噪声高灵敏度近红外图像传感器，图像传感器像素基于硅材料106制备，像素背面最顶层为像素的微透镜100，其下方为光学平坦层101，平坦层下方为红光滤光片102，红光滤光片102两侧为像素间的金属网格103，红光滤光片102下方为氧化层104；像素两侧沟槽为深沟槽隔离结构105，像素感光区域的N型区域109位于像素正面中心，感光区域的耗尽区110向像素背面方向延伸，像素背面设置多道不同深度的BST结构107。BST结构107的深度根据耗尽区110边界设计，并在BST沟槽刻蚀完成后，增加一道浅p型重离子注入。适用于大尺寸像素的高灵敏度低噪声BST像素结构，在周期性BST结构增强像素灵敏度的基础上，通过变化的BST深度和BST沟槽的p型离子注入，减小像素暗电流噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 噪声 灵敏度 红外 图像传感器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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