[发明专利]一种低噪声高灵敏度近红外图像传感器

权利要求书

1.一种低噪声高灵敏度近红外图像传感器，其特征在于，图像传感器像素基于硅材料(106)制备，像素背面最顶层为像素的微透镜(100)，其下方为光学平坦层(101)，平坦层下方为红光滤光片(102)，红光滤光片(102)两侧为像素间的金属网格(103)，红光滤光片(102)下方为氧化层(104)；

像素两侧沟槽为深沟槽隔离结构(105)，像素感光区域的N型区域(109)位于像素正面中心，感光区域的耗尽区(110)向像素背面方向延伸，像素背面设置多道不同深度的BST结构(107)。

2.根据权利要求1所述的低噪声高灵敏度近红外图像传感器，其特征在于，多道BST结构(107)的深度根据耗尽区(110)边界设计，每道BST结构(107)的深度恰与所述耗尽区(110)边界相接。

3.根据权利要求2所述的低噪声高灵敏度近红外图像传感器，其特征在于，BST结构(107)的深度自耗尽区(110)中部的位置向两侧依次加深。

4.根据权利要求3所述的低噪声高灵敏度近红外图像传感器，其特征在于，BST结构(107)的深度自耗尽区(110)中部的位置向两侧依次为0.2～0.4um、0.5～0.7um、0.8～1.0um。

5.根据权利要求4所述的低噪声高灵敏度近红外图像传感器，其特征在于，在BST沟槽刻蚀完成后，增加一道浅p型重离子注入，使BST结构(107)的沟槽表面为浅p+注入(108)。

6.根据权利要求1至5任一项所述的低噪声高灵敏度近红外图像传感器，其特征在于，所述BST结构(107)采用周期性分布的“十字型”形状。

7.根据权利要求6所述的低噪声高灵敏度近红外图像传感器，其特征在于，所述多道BST结构(107)“十字型”形状采用多层掩模版进行制备，用于将BST沟槽刻蚀为不同深度。