[发明专利]碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法、系统及存储介质

摘要

本发明提供了一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法、系统及存储介质，通过向碳化硅晶圆施加一个固定电压，来形成碳化硅晶圆的EL光谱强度分布图像，再建立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电阻分布方程，然后通过联立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、平均电子浓度方程，计算得到碳化硅晶圆平均电子浓度与EL光谱强度的函数关系，来生成载流子浓度分布图像；最后生成精确、完整的碳化硅晶圆的电阻分布图像。相比传统方法，本发明一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法比电阻仪的速度快一个数量级以上，且图像连续完整等优点，适用于大规模工业化生产中的碳化硅晶圆表征。