[发明专利]一种高密度高均匀性InAs/GaAs量子点的分子束外延制备方法在审
| 申请号： | 202111527579.3 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114381801A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 丁颖;苏向斌;赵涛 | 申请（专利权）人： | 南京信光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/40;C30B29/42;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙) 11947 | 代理人： | 李冲 |
| 地址： | 210001 江苏省南京市秦淮区标*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度高均匀性InAs/GaAs量子点的分子束外延制备方法，该量子点生长方式分为三个步骤：低温低速、高温高速和高温低速。本发明与现有技术相比的优点在于：这种生长方法相较与传统的Stranski‑Krastanov(SK)模式生长方法很大幅度的提升了量子点的密度，同时也解决了传统量子点高密度与高均匀性相互制约的难题。这一套InAs/GaAs量子点的生长方法有效提高了InAs/GaAs量子点的密度和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 均匀 inas gaas 量子 分子 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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