[发明专利]一种监控APD外延材料InGaAs/InAlAs刻蚀过程的方法在审
| 申请号： | 202111523078.8 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114242580A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 石峰;叶瑾琳;龚正致 | 申请（专利权）人： | 浙江光特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18;H01L21/67;H01L31/107 |
| 代理公司： | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 | 代理人： | 何薇 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种便于监控刻蚀过程的APD。本发明公开了一种监控APD外延结构刻蚀进度的方法，包括如下步骤：将上述便于监控刻蚀过程的APD进行光刻形成掩膜图形，然后浸泡在刻蚀液中进行刻蚀，接着观察APD表面，根据APD表面情况判断刻蚀进度，具体如下：当观察到APD表面出现“毛玻璃”现象时，则表明刻蚀液刻蚀到InGaAsP材料与InGaAs/InAlAs材料的界面处；当观察到APD表面“毛玻璃”现象开始褪去时，则表明刻蚀液开始刻蚀到InGaAs/InAlAs材料与InP材料界面处；当观察到APD表面重新变得光滑均匀时，则表明InGaAs/InAlAs材料已经完全被刻蚀完毕。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监控 apd 外延 材料 ingaas inalas 刻蚀 过程 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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