[发明专利]一种深紫外外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111521578.8 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114093993A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 解向荣;吴永胜;刘恒山;马野 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林振杰 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外外延片及其制备方法，深紫外外延片包括P型氮化镓，P型氮化镓包括依次生长的P型铝镓氮层、氮化铝层、P掺杂氮化镓层和重掺杂P型铝镓氮层。其中，P型铝镓氮层可以有效减少深紫外光的吸收；氮化铝层在有效减少深紫外光吸收的基础上，可以有效减少量子阱能带弯曲，提高量子阱空穴的注入；P掺杂氮化镓层可以实现高掺杂，提高量子阱空穴的注入；重掺杂P型铝镓氮层，可以有效实现芯片工艺的欧姆接触，同时可以有效减少深紫外光吸收。因此结合P型氮化镓包含的四个结构层能够减少对深紫外光的吸收，提高深紫外LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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