[发明专利]一种硫酸系ITO蚀刻液及其制备、应用方法有效
| 申请号： | 202111519638.2 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114507528B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 王维;潘春林;李自杰;林秋玉 | 申请（专利权）人： | 福建中安高新材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李珊珊 |
| 地址： | 350003 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种硫酸系ITO蚀刻液及其制备、应用方法。所述硫酸系ITO蚀刻液包括以下重量份数的各原料：10‑20份的硫酸，5‑15份的硝酸，20‑30份的醋酸，0.01‑2份的无机氯化物，0.1‑2份的表面活性剂，以及水；其中，所述表面活性剂包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一种和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵。上述硫酸系ITO蚀刻液稳定性好、不易分层，蚀刻精度较高，并且蚀刻后基板的洁净度较高。采用本申请提供的蚀刻液对ITO材料进行处理，可实现蚀刻后ITO材料的关键尺寸损失小于0.8μm，蚀刻角度小于40°。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫酸 ito 蚀刻 及其 制备 应用 方法 | ||
【主权项】：
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