[发明专利]单光子雪崩二极管和光电探测器阵列

摘要

本公开涉及单光子雪崩二极管和光电探测器阵列，该单光子雪崩二极管包括：非平面PN结；所述非平面PN结由第一类型外延层和第二类型掺杂区衔接而成；所述第一类型外延层和所述第二类型掺杂区的衔接面为非平面；其中，所述第一类型和所述第二类型分别为P型和N型中的一种。由此，通过设置单光子雪崩二极管包括非平面PN结的结构，可利用该非平面PN结增大单光子雪崩二极管的光敏区的面积，使光致电子空穴对发生雪崩击穿概率增大，光子探测效率提高；同时，利用非平面结构能够实现对多个不同角度的入射光子的吸收，也能够增大单光子雪崩二极管的光子探测效率。