[发明专利]一种锗基底8-12um红外波段窗口片及其制备方法有效
| 申请号： | 202111505244.1 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114200552B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 崔丁方;钱海东;陈琳;杨康;李俊仪;王博文;姜俊;王爽;刘勇 | 申请（专利权）人： | 云南驰宏国际锗业有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/115 | 分类号： | G02B1/115;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/58;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 薛飞 |
| 地址： | 655011 *** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锗基底8‑12um红外波段窗口片及其制备方法，属于红外光学领域。所述窗口片以单晶锗为基底，基底的正反两面均镀有相同的红外增透膜系结构；正反面的红外增透膜膜系结构均为：基底/0.281Ge/0.475ZnSe/0.4641Ge/0.644ZnSe/0.578YbF3/0.126ZnS/空气。根据光的干涉相消和干涉相长的原理，使用多层膜结构可以使光的干涉相长达到最大，进而最大化的提高镀膜镜片的透过率。在透过率方面，由于Ge、YbF3、ZnS等镀膜材料在该透光波段内均存在吸收，同时各膜层之间的张压应力也对波段内的光存在吸收，本发明将有吸收的膜层厚度降至最低同时在第二层和第四层镀膜采用透光性能更加完善的ZnSe材料，以此提高透过率，并在镀膜过程中采用离子源助镀及离子源镀前、镀后轰击的方式来降低膜层应力以减少吸收提高透过率的同时增强膜层强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 12 um 红外 波段 窗口 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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