[发明专利]一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法在审
| 申请号： | 202111504595.0 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114197038A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王再恩;王双;孙科伟;董增印;李贺;程文涛;张嵩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B29/40 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 李美英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法。在基座的侧面中部设置一圈凸台，在基片槽的外围对称设置四个导气孔；下保护套上端的大直径圆环与基座的下部配合设置在凸台的下方，下端小圆环的内孔是进气孔，下保护套与基座之间的间隙形成下导气槽；上保护套与基座的上部配合设置在凸台的上方，上保护套与基座之间的间隙形成上导气槽，下导气槽和上导气槽的外径大于导气孔外接圆的直径，进气孔、下导气槽、导气孔和上导气槽组成完整的气路。本发明使用保护装置，在采用氢化物气相外延（HVPE）法生长氮化铝外延层的过程中充入氮气，使基片边缘和背底区域被氮气保护，防止碳化硅基片腐蚀，降低外延层中的碳、硅杂质含量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 外延 紫外 透过 保护装置 使用方法 | ||
【主权项】：
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