[发明专利]基于SAP工艺的NOR闪存器件的制作方法在审
| 申请号： | 202111498997.4 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114256256A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杜怡行;王壮壮;顾林;王虎 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于SAP工艺的NOR闪存器件的制作方法，包括以下步骤：制备NOR闪存器件对应的阱；制备隧穿氧化层；制备浮栅多晶硅层；制备氮化硅硬掩膜层；设置CAA掩膜；进行CAA区域刻蚀；设置PAA掩膜；进行PAA区域刻蚀。本发明通过先制备隧穿氧化层、浮栅多晶硅层、氮化硅硬掩膜层、CAA掩膜，然后再进行相应CAA/PAA刻蚀形成STI沟槽，不会产生由FG CMP工艺带来的多晶硅残留。并且，即使器件线宽缩小到更小节点时，也不会出现多晶硅残留。可以有效提升良率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sap 工艺 nor 闪存 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
