[发明专利]基于多重缓冲层的4H-SiC异质结二极管器件结构在审
| 申请号： | 202111497126.0 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114203799A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王颖;李茂斌;包梦恬;曹菲 | 申请（专利权）人： | 大连海事大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 方亚兵 |
| 地址： | 116000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于多重缓冲层的4H‑SiC异质结二极管器件结构，属于半导体技术领域，该器件与传统器件相比，使用P型多晶硅与N‑型SiC外延层形成异质结代替肖特基结，并在N‑型SiC外延层和N+型SiC衬底之间加入N型SiC多重缓冲层，通过降低高能粒子入射器件后产生的瞬态电流密度、改变峰值电场数值与位置和降低碰撞电离率来使器件在高反向偏置电压和高LET值的辐照条件下不发生单粒子烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多重 缓冲 sic 异质结 二极管 器件 结构 | ||
【主权项】：
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