[发明专利]集成鳍式SBD结构的沟槽栅MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 202111496378.1 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN113921400B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李加洋;吴磊;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368 | 代理人： | 钱丽 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成鳍式SBD结构的沟槽栅MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层的上侧刻蚀形成外露于外延层上侧的SBD接触台，在SBD接触台两侧的外延层上侧淀积形成介质层，并在介质层上刻蚀形成金属淀积区；在第一阱区和第二阱区的上侧制作形成欧姆接触区，同时在SBD接触台的上侧及两侧制作形成SBD接触区，SBD接触区与SBD接触台配合形成鳍式SBD结构。本发通过SBD接触台与SBD接触区配合形成的鳍式SBD结构来提高器件的反向恢复速度，降低反向恢复时间Trr，并使SBD接触区由平面结构升级为三维立体结构，大辐增加接触面积，从而在Trr相同时，占用的芯片面积更小。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 sbd 结构 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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