[发明专利]一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202111493320.1 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN114300545A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 邵春林;闫怀宝;闫发旺 申请(专利权)人: 江西誉鸿锦材料科技有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/20;H01L29/40;H01L21/329
代理公司: 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 代理人: 任永利;钱政东
地址: 344000 江西省抚州市高新技术产业开发区科纵四路*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法,其包括n‑GaN层(1),n‑GaN层(1)上表面设置有绝缘保护层(3)和肖特基势垒电极(5),n‑GaN层(1)下表面由上至下依次设置有n+‑GaN层(2)、欧姆电极(4);绝缘保护层(3)设置在n‑GaN层(1)上表面局部,肖特基势垒电极(5)设置在n‑GaN层(1)上表面未设有绝缘保护层(3)的区域,肖特基势垒电极(5)边缘覆盖在绝缘保护层(3)上构成场板结构。本发明使用GaN材料制成垂直结构的肖特基势垒二极管,GaN材料具有宽的带隙、高的击穿电场强度、高的电子迁移率和高的电子饱和速度等特点,解决了肖特基势垒二极管大电流,高的反向电压等问题,实现二极管的大电流、高耐压、小型化。
搜索关键词: 一种 垂直 结构 氮化 肖特基势垒二极管 及其 制作方法
【主权项】:
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