[发明专利]一种GaN微波单片集成电路的晶圆级封装工艺在审
| 申请号： | 202111489773.7 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114267599A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王静辉;黎荣林;崔健;郭跃伟;段磊;闫志峰 | 申请（专利权）人： | 河北博威集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;C23C14/04;C23C14/10;C23C14/30;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 河北智酷知创知识产权代理事务所(普通合伙) 13157 | 代理人： | 武哲 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种GaN微波单片集成电路的晶圆级封装工艺，涉及芯片封装技术领域，包括晶圆准备、晶圆正面工序、晶圆背面工序和封装工序，晶圆正面工序完成后进行晶圆封装工序，最后完成晶圆背面工序，所述封装工序包括以下步骤，降低了GaN基射频器件和微波单片集成电路的生产成本，性能方面由于去掉的传统封装工艺中键合引线环节，降低了在微波信号传输过程中损耗，有效提高了GaN基射频器件和微波单片集成电路性能，而且封装后的芯片体积更小并且大幅度提高了散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 微波 单片 集成电路 晶圆级 封装 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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