[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111487931.5 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114156338A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李立;王耀华;金锐;汪玉;王鑫 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 董越 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。所述绝缘栅双极型晶体管包括：漂移层；位于所述漂移层一侧的集电层，所述集电层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层和所述集电层之间的缓冲层，所述缓冲层的导电类型与所述漂移层的导电类型相同，且所述缓冲层的掺杂浓度高于所述漂移层的掺杂浓度；在所述缓冲层的内部设置有浮置层，所述浮置层的导电类型与所述缓冲层的导电类型相反。所述缓冲层与所述浮置层的界面处形成结势垒，阻碍载流子的扩散，改变了绝缘栅双极型晶体管集电极一侧的载流子分布，降低了发射极漏电流，提高了绝缘栅双极型晶体管的正向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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