[发明专利]基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法

摘要

本发明提供一种基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法，包括步骤：1)于SOI晶圆的第一主面沉积隔离介质层；2)采用低压化学气相沉积工艺于沉积隔离介质层上和SOI晶圆的第二主面分别形成第一氮化硅层和第二氮化硅层；3)刻蚀第二氮化硅层，以至少去除第二氮化硅层的部分厚度；4)采用等离子体增强化学气相沉积工艺于SOI晶圆的第二主面沉积高应力氮化硅层；5)刻蚀第一氮化硅层，以形成氮化硅波导，高应力氮化硅层用于在形成氮化硅波导时使氮化硅波导达到应力平衡。本发明不仅解决了氮化硅波导应力不平衡的问题而且还保护了晶圆正面的器件，可广泛应用于硅光子技术中。