[发明专利]硅衬底结构和氮化铝压电谐振器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111472214.5 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114142821A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 赵继聪;张敖宇;孙海燕;施佺;宋晨光 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H03H3/007 | 分类号： | H03H3/007;H03H3/02;H03H3/08;H03H9/02 |
| 代理公司： | 江苏隆亿德律师事务所 32324 | 代理人： | 倪金磊 |
| 地址： | 226019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝压电谐振器件及其硅衬底结构的制备方法及氮化铝压电谐振器件及其硅衬底结构，硅衬底结构的制备方法的步骤包括：在硅衬底的上表面刻蚀形成用于包围至少部分待释放区域的回流槽；采用高硼硅玻璃在回流槽中形成顶部与硅衬底表面平齐的释放保护层，释放保护层限定出待释放区域。氮化铝压电谐振器件的制备方法的步骤包括制备硅衬底结构；在硅衬底结构上完成压电谐振器件的结构制备；在压电层上刻蚀释放孔并对待释放区域进行释放形成释放腔。本申请的方法能够使得在温度发生变化的时候，整体器件产生的热应力较低，避免导致器件结构变形或断裂使器件性能下降，且能够将释放硅的范围限制在释放保护层内，避免硅衬底受到过度刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 结构 氮化 压电 谐振 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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