[发明专利]高强度高阻尼Mg-Gd-Ni镁合金及其制备方法在审
| 申请号： | 202111456517.8 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114134380A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 王敬丰;马凯;党聪;刘世杰;王丹芊;王金星;王柯;潘复生 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C22C23/06 | 分类号： | C22C23/06;C22C1/02;C22F1/06;C22F1/02 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 吴金森 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高强度高阻尼Mg‑Gd‑Ni镁合金及其制备方法，属于镁合金材料制备技术领域。一种高强度高阻尼Mg‑Gd‑Ni镁合金，所述镁合金主要由Mg、Gd和Ni组成，按重量百分比计，各组成成分的含量为：Gd：5％～25％，Ni：1％～10％，余量为Mg和不可避免的杂质。本发明通过引入含Ni‑LPSO相来同时提高合金的阻尼与力学性能。通过热挤压变形，合金的力学性能得到显著提升。本发明提供的变形Mg‑Gd‑Ni合金，力学性能优异的同时，阻尼性能明显高于高阻尼的性能要求。本发明还存在制备工艺简单，可移植性强，容易实现等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 强度 阻尼 mg gd ni 镁合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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