[发明专利]高填孔比五层埋容MEMS封装载板及其制作工艺在审
| 申请号： | 202111444159.9 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114132886A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 马洪伟;陆敏晨 | 申请（专利权）人： | 江苏普诺威电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 昆山中际国创知识产权代理有限公司 32311 | 代理人： | 孙海燕 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高填孔比五层埋容MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路、第一次压合、第一次减铜、第一次镭射烧钯定位、镭射钻孔及填孔、第二次压合、第二次减铜、第二次镭射烧钯定位、镭射钻孔及填孔、外层线路和镭射烧槽，通过上述步骤制成的封装载板为不对称结构的五层板，从而实现了在不对称结构下仍具有超高的平整度的目的，解决了五层埋容MEMS封装载板翘曲难以控制的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高填孔 五层埋容 mems 装载 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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