[发明专利]LDMOS器件的源端工艺方法在审
| 申请号： | 202111440107.4 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114188404A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王星杰;杨新杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件的源端工艺方法，在衬底或外延表面涂覆光刻胶，然后在LDMOS器件源端打开光刻胶形成源端的注入窗口，对源端进行第一次离子注入，在衬底或者外延中形成源区；然后对源区光刻胶进行部分去除，形成新的源端注入窗口，重新定义出源区及沟道；在重新形成的源区窗口的定义下对窗口内的多晶硅层进行刻蚀，去除窗口内的多晶硅层，露出多晶硅层下方的氧化硅层；对源区窗口内进行第二次掺杂离子注入。本发明在高能量注入后，通过再次干法刻蚀少量去胶及多晶硅刻蚀重新定义LDMOS的沟道，以减少高能量注入对LDMOS沟道的影响。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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