[发明专利]一种高密度基因芯片阵列式圆孔形貌制备方法在审
| 申请号： | 202111437530.9 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114639605A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 吴沛飞;赵万利;葛欢;高晋文;王克胜 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山西省电力公司检修分公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高密度基因芯片阵列式圆孔形貌制备方法，通过在晶圆表面淀积氧化层；采用一次光刻工艺在淀积有氧化层的晶圆表面形成光刻胶掩膜图案；对所述光刻胶掩膜图案进行多次浸润及坚膜处理后，采用干法刻蚀工艺对所述光刻胶掩膜图案底部的氧化层进行刻蚀，形成阵列式圆孔形貌。本发明的制备方法中通过多次浸润及坚膜处理，调节了光刻胶的应力不均匀问题，并且实现了只需一次光刻工艺即可成形的高密度阵列式圆孔结构，不仅有效改善了基因芯片圆孔形貌的光刻胶掩膜结构和干法刻蚀后的圆孔形貌的工艺质量，而且极大简化了整个工艺流程，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 基因芯片 阵列 圆孔 形貌 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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