[发明专利]一种量子芯片封装结构的热力学仿真方法在审
申请号: | 202111418718.9 | 申请日: | 2021-11-26 |
公开(公告)号: | CN116186954A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 孙巍;陈耀锋;吴小泽;汤志林;李雪白;孔伟成 | 申请(专利权)人: | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06F30/23;G06N10/20;G06F119/08;G06F119/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种量子芯片封装结构的热力学仿真方法,通过建立量子芯片封装结构的初始模型之后,基于所述量子芯片封装结构的工作环境、经验热源以及量子芯片封装结构的自身特点设置用于热力学仿真的第一边界条件、第一热量条件及第一参数条件,进而实现量子芯片封装盒的热力学仿真。本发明能够真实有效的进行量子芯片封装盒的热力学仿真,并得到量子芯片封装结构精确的热力学参数,并基于此进行量子芯片封装结构的升级优化,从而为量子芯片提供更加稳定的工作环境。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 芯片 封装 结构 热力学 仿真 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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