[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案在审
| 申请号： | 202111411027.6 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN116190371A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王淑如;郭有策;陈建宏;黄俊宪;黄莉萍;曾俊砚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种静态随机存取存储器(static random‑access memory，SRAM)的布局图案，包含基底、PL1(第一上拉晶体管)、PD1(第一下拉晶体管)、PL2(第二上拉晶体管)及PD2(第二下拉晶体管)位于基底上，另包含PG1A(第一存取晶体管)、PB1B(第二存取晶体管)、PG2A(第三存取晶体管)及PG2B(第四存取晶体管)，PG1A与PG1B包含相同的第一鳍状结构，PG2A与PG2B包含相同的第二鳍状结构，第一局部互连层位于PG1A与PG1B之间，且位于PL1与PD1所包含的鳍状结构上，及第二局部互连层位于PG2A与PG2B之间，且位于PL2与PD2所包含的鳍状结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 布局 图案 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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