[发明专利]一种晶硅太阳能电池PECVD背膜优化工艺在审
| 申请号： | 202111409579.3 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114134482A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李永伟;任良为;马政;周芳超;刘建强 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/50;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 边人洲 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶硅太阳能电池PECVD背膜优化工艺，所述优化工艺包括以下步骤：对晶体硅片进行恒温处理，然后在所述晶体硅片的背面上依次沉积氮氧化硅膜和氮化硅膜；所述氮氧化硅膜和所述氮化硅膜的沉积方式分别独立地为PECVD；形成所述氮氧化硅膜的过程中，脉冲比为1:(12‑18)；所述优化工艺通过控制形成氮氧化硅膜过程中的脉冲比，实现了氮氧化硅膜的快速沉积，有效缩短了沉积时间，提高了生产效率，并且使形成的背膜膜色更加均匀；同时还提升了特气的利用率，具有较高的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 pecvd 优化 工艺 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
