[发明专利]一种晶硅太阳能电池PECVD背膜优化工艺

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池PECVD背膜优化工艺，其特征在于，所述优化工艺包括以下步骤：

对晶体硅片进行恒温处理，然后在所述晶体硅片的背面上依次沉积氮氧化硅膜和氮化硅膜；

所述氮氧化硅膜和所述氮化硅膜的沉积方式分别独立地为PECVD；

形成所述氮氧化硅膜的过程中，脉冲比为1:(12-18)。

2.根据权利要求1所述的优化工艺，其特征在于，所述恒温处理的温度为450-560℃；

优选地，所述恒温处理的时间为700-1100s。

3.根据权利要求1或2所述的优化工艺，其特征在于，所述氮氧化硅膜形成的步骤包括：向钝化炉内通入SiH₄、NH₃和N₂O，采用PECVD方式在晶体硅片背面进行第一沉积，形成氮氧化硅膜。

4.根据权利要求3所述的优化工艺，其特征在于，所述钝化炉内的温度维持在450-560℃；

优选地，所述钝化炉内的压力维持为200-300Pa。

5.根据权利要求3或4所述的优化工艺，其特征在于，所述SiH₄的流量为2-10L/min；

优选地，所述NH₃的流量为3-10L/min；

优选地，所述N₂O的流量为5-20L/min。

6.根据权利要求3-5任一项所述的优化工艺，其特征在于，所述第一沉积的时间为200-700s；

优选地，所述氮氧化硅膜的厚度为20-80nm。

7.根据权利要求1或2所述的优化工艺，其特征在于，所述氮化硅膜形成的步骤包括：向钝化炉内通入SiH₄和NH₃，采用PECVD方式在所述氮氧化硅膜的基础上进行第二沉积，形成氮化硅膜。

8.根据权利要求7所述的优化工艺，其特征在于，所述钝化炉内的温度维持在450-560℃；

优选地，所述钝化炉内的压力维持为200-300Pa；

优选地，所述SiH₄的流量为2-10L/min；

优选地，所述NH₃的流量为3-10L/min。

9.根据权利要求7或8所述的优化工艺，其特征在于，所述第二沉积的时间为200-600s；

优选地，形成所述氮化硅膜的过程中，脉冲比为1:(12-18)；

优选地，所述氮化硅膜的厚度为30-100nm。

10.根据权利要求1-9任一项所述的优化工艺，其特征在于，所述优化工艺包括以下步骤：

在450-560℃的条件下对晶体硅片进行恒温处理700-1100s；

然后向钝化炉内通入SiH₄、NH₃和N₂O，采用PECVD方式在晶体硅片背面进行第一沉积，形成氮氧化硅膜；所述第一沉积过程中，钝化炉内的温度维持在450-560℃，压力维持为200-300Pa，SiH₄的流量为2-10L/min，NH₃的流量为3-10L/min，N₂O的流量为5-20L/min，脉冲比为1:(12-18)，沉积30-700s，形成厚度为20-80nm的氮氧化硅膜；

接着，向钝化炉内通入SiH₄和NH₃，采用PECVD方式在所述氮氧化硅膜的基础上进行第二沉积，形成氮化硅膜；所述第二沉积过程中，钝化炉内的温度维持在450-560℃，压力维持为200-300Pa，SiH₄的流量为2-10L/min，NH₃的流量为3-10L/min，脉冲比为1:(12-18)，沉积200-600s，形成厚度为30-100nm的氮化硅膜。