[发明专利]一种静电力调谐型MEMS电场传感器和检测方法在审

专利信息
申请号: 202111408937.9 申请日: 2021-11-24
公开(公告)号: CN114113814A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 储昭志;闻小龙;杨鹏飞;彭春荣;夏善红;刘宇涛;吴双 申请(专利权)人: 北京中科飞龙传感技术有限责任公司
主分类号: G01R29/12 分类号: G01R29/12
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 谢明晖
地址: 100089 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种静电力调谐型MEMS电场传感器和控制方法,包括驱动电极、拾振电极、谐振结构、静电力敏感电极,静电力敏感电极与谐振结构相连,驱动电极用于与谐振结构之间形成驱动电容,拾振电极用于与谐振结构之间形成拾振电容,静电力敏感电极用于感应待测电场,引起谐振结构谐振频率的变化,拾振电极检测谐振结构谐振频率的变化,得到待测电场的检测结果。本申请通过在驱动电极上施加激励信号,引起谐振结构的谐振,静电力敏感电极在待测电场的静电力作用下,引起谐振结构的谐振频率的变化,拾振电极通过检测谐振频率的变化,实现对待测电场的测量,本传感器结构简单、易于制备、成本较低,有利于规模化网络化应用。
搜索关键词: 一种 静电力 调谐 mems 电场 传感器 检测 方法
【主权项】:
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