[发明专利]一种平面结构超低电容TVS结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111407559.2 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN113948583A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王涛;喻先坤;彭时秋;肖步文;贺琪;张世权;张继 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 叶昕;杨立秋 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种平面结构超低电容TVS结构及其制备方法，属于浪涌保护器件领域。提供P型衬底；在所述P型衬底的正面通过硼注入形成P2阱区；在所述P型衬底的正面通过磷或砷注入形成N1区和N3区；在所述P2阱区通过磷或砷注入形成N2区；在所述P型衬底的正面通过硼注入形成P1重掺杂区；在表面形成第一介质层，并刻蚀P1重掺杂区和N3区上方的第一介质层形成开口，在开口中形成第一金属；在表面形成第二介质层，并刻蚀N1区和N2区上方的第一介质层和第二介质层形成开口，在开口中形成第二金属；在所述第二金属上方形成钝化层，并留出两个金属PAD。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 结构 电容 tvs 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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