[发明专利]背照式图像传感器的形成方法在审
| 申请号： | 202111389578.7 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN116153951A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李继刚 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张瑞;唐嘉 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种背照式图像传感器的形成方法，包括：提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有相对的第一面和第二面；在所述第一半导体衬底内形成若干深沟槽；在所述深沟槽的底部和/或侧壁形成金属层；采用选择性金属沉积工艺在所述金属层上形成第一隔离结构，所述第一隔离结构填充所述深沟槽。采用选择性金属沉积工艺形成的所述第一隔离结构，能够减少在所述第一隔离结构内形成空隙，进而减少光学串扰的问题。另外，所述金属层最终也会作为隔离结构应用，且在选择性金属沉积工艺形成所述第一隔离结构的过程中，不需要形成扩散阻挡层，进而不会占用所述深沟槽的横截面。因此，不需要增加所述深沟槽的宽度，使得所述感光区入射面积增加，提高满径容量。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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