[发明专利]背照式图像传感器的形成方法

权利要求书

1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有相对的第一面和第二面；

在所述第一半导体衬底内形成若干深沟槽；

在所述深沟槽的底部和/或侧壁形成金属层；

采用选择性金属沉积工艺在所述金属层上形成第一隔离结构，所述第一隔离结构填充所述深沟槽。

2.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成若干所述深沟槽之前，还包括：对所述第二面进行减薄处理。

3.如权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，对所述第二面进行减薄处理之前，还包括：在所述第一半导体衬底内形成若干第二隔离结构和若干感光区、以及在所述第一面上形成器件层，各所述第二隔离结构自所述第一面延伸入所述第一半导体衬底内，各所述感光区设于所述第一半导体衬底内，且对应设于相邻的所述第二隔离结构之间，所述感光区内具有第一掺杂离子；

各所述深沟槽对应各所述第二隔离结构，并自所述第二面向所述第一面延伸，且底部相连对应的所述第二隔离结构。

4.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述金属层的形成方法包括：在所述深沟槽的底部、深沟槽的侧壁以及第二面上形成初始金属层；去除所述第二面上形成的所述初始金属层，形成所述金属层。

5.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离结构的形成方法包括：采用选择性金属沉积工艺在所述金属层上形成初始第一隔离结构，所述初始第一隔离结构填充所述深沟槽。

6.如权利要求5所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述初始第一隔离结构的顶部表面与所述第二面齐平时，将所述初始第一隔离结构作为所述隔离结构；当所述初始第一隔离结构的顶部表面高于所述第二面时，还包括：对所述初始第一隔离结构进行平坦化处理，直至暴露出所述第二面为止，形成所述第一隔离结构。

7.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述深沟槽的深宽比为5:1～40:1。

8.如权利要求4所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述初始金属层之前，还包括：在所述第二面上、所述深沟槽的侧壁和底部形成优化层；所述初始金属层在所述优化层上形成。

9.如权利要求8所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述优化层包括：单层结构或双层结构。

10.如权利要求9所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述优化层为单层时，所述优化层为：缓冲氧化层。

11.如权利要求9所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述优化层为单层时，所述优化层为：HK材料层。

12.如权利要求9所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述优化层为双层时，所述优化层为：HK材料层、以及位于所述HK材料层上的缓冲氧化层。