[发明专利]一种抑制铁电晶体管FeFET写涨落的方法在审
| 申请号： | 202111387996.2 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114093397A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 黄如;罗金;徐伟凯;黄芊芊 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C16/34;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种抑制铁电晶体管FeFET涨落的写操作方法，属于神经网络加速器领域。该方法利用FeFET源端电压负反馈机制，与写操作通路的NMOS(N1)和读操作通路的NMOS(N2)连接；FeFET的栅端作为编程(或擦除)端口，漏端连接于电源电压V |
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| 搜索关键词： | 一种 抑制 晶体管 fefet 涨落 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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