[发明专利]一种氮氧化钛薄膜压力传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 202111387954.9 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114088261A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 蓝镇立;何峰;周国方;车颜贤 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/02;C23C14/54 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 何文红 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮氧化钛薄膜压力传感器及其制造方法，该传感器的制造方法包括依次在弹性元件上制备绝缘薄膜、应变电阻、引线焊盘和保护层，其中应变电阻由氮氧化钛薄膜制备而成，氮氧化钛薄膜是以氮化钛为靶材，通过溅射方法制备得到。与现有常规氮氧化钛薄膜压力传感器，本发明制得的氮氧化钛薄膜压力传感器中，氮氧化钛薄膜中各成分含量均匀性比例小，致密性好，结构稳定，这使得本发明氮氧化钛薄膜压力传感器具有更好的稳定性和可靠性，是一种性能更加优异的新型薄膜压力传感器，使用价值高，应用前景好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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