[发明专利]Nand flash存储器的数字验证方法及系统在审

专利信息
申请号: 202111385172.1 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN114242153A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 田淼 申请(专利权)人: 四川和芯微电子股份有限公司
主分类号: G11C29/36 分类号: G11C29/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省成都市高新区*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种Nand flash存储器的数字验证方法,其包括如下步骤:a.检测Nand flash存储器总线上的数据信息,计算并记录所述数据的长度和位置;b.随机生成不同的数据错误位置,对错误位置进行记录并排序;c.根据记录的错误位置对Nand flash存储器内的数据进行造错;d.对造错后的数据的位置进行标志。同时,本发明还公开了一种Nand flash存储器的数字验证系统。通过本发明的方案,可以在不影响原有验证环境和测试用例的前提下,真实反映实际flash存储器工作时出现的数据错误,不仅有效提高验证的可信程度,而且提升了验证的可移植性和灵活性。
搜索关键词: nand flash 存储器 数字 验证 方法 系统
【主权项】:
暂无信息
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